Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Franka Kallert
Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Gericht stellte fest, dass das chinesische Unternehmen Innoscience patentierte GaN-Technologien von Infineon ohne Erlaubnis genutzt hatte. Die Entscheidung bedeutet einen weiteren rechtlichen Rückschlag für Innoscience in den Auseinandersetzungen mit Infineon.
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Gerichte und Behörden in Deutschland und den USA haben wiederholt bestätigt, dass Produkte von Innoscience die geistigen Eigentumsrechte von Infineon verletzen. Das aktuelle Urteil ist die dritte und vierte Niederlage für Innoscience in einer Reihe solcher Fälle.
Das Gericht hat Innoscience untersagt, die patentverletzenden GaN-Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem wurde das Unternehmen zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit von Infineon, erklärte, das Urteil unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Er betonte das Engagement des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu schützen und für fairen Wettbewerb zu sorgen. Infineon verfügt über das branchenweit umfangreichste GaN-Patentportfolio mit rund 450 Patentfamilien. Das Unternehmen konzentriert sich weiterhin auf Innovation und die Weiterentwicklung von Halbleitertechnologien, um globale Herausforderungen zu bewältigen. GaN bleibt entscheidend für die Entwicklung hochleistungsfähiger und energieeffizienter Stromversorgungssysteme in verschiedenen Anwendungsbereichen.
